mos管qg概念
qg(栅极电荷):栅极电荷qg是使栅极电压从0升到10v所需的栅极电荷，是指mos开关完全打开，gate极所需要的电荷量。
虽然mos的输入电容,输出电容,在反馈电容是一项非常重要的参数,但是这些参数都是一些静态参数。
静态时，cgd通常比cgs小，实际在mos应用中，当个gate加上驱动电压后，于mill效应有关联的cgd会随着drain极电压变化而呈现非线性变化，而且其电容值会比cgs大20倍以上虽然cgs也会随着grain-source电压变化，但是其数值变化不大，通常会增大10%-15%左右。所以很难用输入，输出电容来衡量mos的驱动特性。
1.测试电路和波形
通常用qg(栅极电荷)来衡量mos的驱动特性
如上图1.3（1）在t0-t1时刻,vgs开始慢慢的上升直到vgs(th),ds之间电流才开始慢慢上升,同时cgs开始充电，在此期间cgd和cgs相比可以忽略;
（2）t1
USE_HAL_CAN_REGISTER_CALLBACKS宏定义为0，则调用HAL_CAN_RxFifo0MsgPendingCallback回调函数（这个函数是弱化函数，重构该…
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