2014年8月底，三星电子宣布量产全球第一款采用3d tsv立体硅穿孔封装技术打造的ddr4内存条，单条容量高达64gb。一年多后，三星将这一容量翻了一番，开始量产128gb tsv ddr4内存条。
新内存依然是面向企业级服务器市场的rdimm类型条子，使用了多达144颗ddr4内芯片，每一颗容量8gb(1gb)，然后每四颗芯片利用tsv技术紧密封装在一起，总计36个组，分布在内存条两侧。
制造工艺是三星最先进的20nm，起步频率2400mhz，接下来将逐步提升到2667mhz、3200mhz。
另外，三星还会把tsv硅穿孔技术应用到hbm高带宽内存中。
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