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瑞昱展示固态硬盘主控路线图,明年一季度推出首款 PCIe 5.0 主控 ES 版本

2024年06月11日 硬盘 我要评论
瑞昱两款高阶 DRAM-less NVMe 主控将于今年末明年初推出 ES 版本,均支持 3600MT/s 闪存。

6 月 11 日消息,据日媒 pc watch 报道,瑞昱在 2024 台北国际电脑展上公布了其固态硬盘主控产品的路线图。

主控产品的路线图

▲ 图源 pc watch

图片显示,瑞昱的首款 pcie 5.0 主控产品 rts5781dl 将于明年一季度推出 es(工程样品)版本,相关固态硬盘产品有望在 2025 年内上市。

瑞昱同时也在开发新一代“pcie 4.0 满速”dram-less 固态主控 rts5776dl。该主控在 ldpc 纠错方面强于现有产品 rts5772dl,es 版本 2024 年四季度推出。

代码网整理这两款固态硬盘主控参数如下:

瑞昱 rts5776dl

  • 支持 pcie gen4x4 和 nvme 2.0 协议,dram-less 设计;

  • 4 闪存通道结构,支持至高 3600mt/s 闪存接口速率;

  • 顺序读取 / 写入速率可达 7400 / 7400 mb/s;

  • 随机读取 / 写入速率可达 1200k / 1200k iops。

瑞昱 rts5781dl

  • 支持 pcie gen5x4 和 nvme 2.0 协议,dram-less 设计;

  • 4 闪存通道结构,支持至高 3600mt/s 闪存接口速率;

  • 顺序读取 / 写入速率可达 10000 / 10000 mb/s;

  • 随机读取 / 写入速率可达 1400k / 1400k iops。

瑞昱还规划了一款 8 通道设计的旗舰级 pcie 5.0 主控 rts5782。该主控支持 ddr4、lpddr3、lpddr4、lpddr4x 外置缓存颗粒。

rts5782 同样支持至高 3600mt/s 的闪存接口速率,顺序读写分别可达到 14000 / 12000 mb/s,随机读写则均可达到 2500k iops

2024 台北国际电脑展专题

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