我要评论dual-inline-memory-modules,即双列直插式存储模块。这是在奔腾cpu推出后出现的新型内存条，dimm提供了64位的数据通道，因此它在奔腾主板上可以单条使用。它有168条引脚，故称为168线内存条。它要比simm插槽要长一些，并且它也支持新型的168线edo-dram存储器。就目前而言，适用dimm的内存芯片的工作电压一般为3.3v(使用edoram内存芯片的168线内存条除外)，适用于simm的内存芯片的工作电压一般为5v(使用edoram或fbram内存芯片)，二者不能混合使用。
dimm与simm比较
dimm(dual inline memory module，双列直插内存模块)与simm(single in-line memory module，单边接触内存模组)相当类似，不同的只是dimm的金手指两端不像simm那样是互通的，它们各自独立传输信号，因此可以满足更多数据信号的传送需要。同样采用dimm，sdram 的接口与ddr内存的接口也略有不同，sdram dimm为168pin dimm结构，金手指每面为84pin，金手指上有两个卡口，用来避免插入插槽时，错误将内存反向插入而导致烧毁;ddr dimm则采用184pin dimm结构，金手指每面有92pin，金手指上只有一个卡口。卡口数量的不同，是二者最为明显的区别。ddr2 dimm为240pin dimm结构，金手指每面有120pin，与ddr dimm一样金手指上也只有一个卡口，但是卡口的位置与ddr dimm稍微有一些不同，因此ddr内存是插不进ddr2 dimm的，同理ddr2内存也是插不进ddr dimm的，因此在一些同时具有ddr dimm和ddr2 dimm的主板上，不会出现将内存插错插槽的问题。
fb-dimm
因为目前的内存主要是采用传统的64位并行设计，即北桥芯片的内存控制器与内存模块之间均通过64位的并行总线来数据交换，但此类并行总线设计有一个最大的缺点：就是相邻线路很容易受到干扰。这是因为目前的dimm采用一种“短线连接”(stub-bus)的拓扑结构。在这种结构中，每个芯片与内存控制器的数据总线都有一个短小的线路相连，这样会造成电阻抗的不连续性，从而影响信号的稳定与完整，频率越高或芯片颗粒越多，影响也就越大。这也是目前基于此类并行体系的内存如ddr频率低下的原因。small outline dual inline memory module(缩写sodimm):小外形双列直插式内存模块
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