6 月 24 日消息，韩媒 businesskorea 报道，业内人士透露 sk 海力士在 6 月 16 至 20 日在美国夏威夷举行的 vlsi 2024 峰会上发表了有关 3d dram 技术的最新研究论文。
在这篇论文中，sk 海力士报告其五层堆叠的 3d dram 内存良率已达 56.1%，实验中的 3d dram 展现出与目前 2d dram 相似的特性。
据介绍，与传统的 dram 水平排列内存单元不同，3d dram 垂直堆叠单元，可以在相同空间内实现更高的密度。
不过，sk 海力士指出，与 2d dram 的稳定运行不同，3d dram 表现出不稳定的性能特征，需要堆叠 32 到 192 层存储单元才能实现普遍应用。
代码网注意到，三星正在开发 16 层堆叠 3d dram，并在今年 3 月的 memcon 2024 展会上宣布计划在 2030 年左右实现 3d dram 产品商业化应用。
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