SK 海力士:HBM 内存复合年增长率高达 70%,未来低价后有望进入消费级设备
2024年07月06日
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SK 海力士封装技术开发负责人宣称,混合键合技术将使其 16 和 20 层堆叠 HBM 价格更低。
7 月 5 日消息,据韩媒 etnews 报道,sk 海力士副总裁兼封装技术开发负责人 moon ki-ill 在昨 (4) 日于首尔举办的活动上表示,预计 hbm 内存的复合年增长率(cagr)将达到 70%。
moon ki-ill 表示,市场研究机构 trendforce 集邦咨询曾认为 2021~2027 年 hbm 内存市场的 cagr 将为 26.4%,但下游客户的需求远远超过了第三方机构的预期。
根据代码网以往报道,以 sk 海力士为首的三大 dram 企业已基本售罄 2025 年的 hbm 供应。

▲ sk 海力士 hbm3e 内存moon ki-ill 还提到,hbm 目前主要用于 ai 加速器,但未来价格下降后有望渗透到以 pc 和移动设备为代表的消费级市场。
amd 曾在 gcn 架构世代推出过数款搭载 hbm 内存的高端消费级显卡(代码网注:如 rx vega 64、r9 fury x 等),但那之后 hbm 就退出了消费级的视野。
moon ki-ill 称:“sk 海力士正在为 16 和 20 层堆叠的 hbm 内存生产准备混合键合技术,这将使它们在价格上更具竞争力。”
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