消息称三星电子 12nm 级 DRAM 内存良率不足五成，已就此成立专门工作组
2024年06月12日
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12nm 级的 32Gb DDR5 内存是三星电子未来主力产品。三星未来将大幅提升 12nm 级内存产能。
6 月 11 日消息，韩媒 zdnet korea 今日表示，三星 1b nm（12nm 级） dram 内存良率仍不足五成。
这一数据远低于 80~90% 的业界一般目标，三星已于上月就此成立专门工作组应对。
参考代码网以往报道，三星电子于 2023 年 5 月宣布 16gb 版 12nm 级 ddr5 内存开始量产，后又于 2023 年 9 月宣布 12nm 级 32gb ddr5 内存开发成功。
▲ 三星电子 12nm 级 32gb ddr5 内存32gb 的颗粒容量意味着三星可在不使用 tsv 工艺的情况下就能生产 128gb 容量的高密度 ddr5 rdimm 内存条。
相比采用 tsv 的 3ds dimm 内存，这种常规内存条功耗减少 10%，制造成本也显著降低。
因此，12nm 级制程的 32gb ddr5 内存颗粒被三星电子视为未来的主力产品。此番成立专门工作组旨在迅速提升良率。
三星电子还决定积极扩大 12nm 级 dram 的产量，未来华城 15 和平泽 p2 晶圆厂将成为这一产品的主要生产基地。后者目前主要生产 1z nm 内存，将进行工艺升级。
三星电子计划将 12nm 级 dram 的产能从目前的每月 4 万片晶圆扩张到三季度的 7 万片和四季度的 10 万片，明年则将进一步提升至每月 20 万片晶圆。
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