我要评论关于内存bank的探讨 目前很多人对内存bank(电脑系统与内存之间数据总线的基本工作单位)都有一种误解，认为单面内存就是单bank，双面内存就是双bank的。其实这种观念是不对的，内存的bank(指物理bank)数和内存颗粒的面无关，它们之间有什么联系呢？
要讲清这个问题，就要提到内存的逻辑bank，下面就给大家介绍一下物理bank和逻辑bank的概念。在介绍之前，我们先简单看一下现在市场上的dram内存产品.现在市场上的内存主要有：sdram、ddr sdram及rambus。其中rambus内存的控制器和前两者不同，且内部bank和前两者也不同，将在后面单独介绍。先主要介绍sdram和ddr sdram的bank问题，因为sdram就内核、bank结构而言，和ddr sdram没有什么区别，这里作为一个整体来讲。逻辑bank及其结构内存芯片存储数据的基本单位是bit(位)，而进行寻址的基本单位则是byte(字节)，一个byte就等于8bit。大家知道，在平面坐标系中，要确定一个点就要先找到它的横坐标和纵坐标。而在内存中数据的定位也很相似，内存中的数据结构就是一个大的数据阵列，为了便于理解，我们把它假想成一个大的表格，前面我们提到的平面坐标系中的点，在这里我们可以理解为经过定位后的单元格，当然在一个单元格中不是只有1bit的数据，而是由多个bit组成一个组放在单元格内，这里一个单元格我们可以称作一个组，这个单元格的位数也就是内存逻辑bank的位宽。在进行数据读取时，先进行行的选定，再进行列的选定，最后再从这个单元格中读取出所需要的数据。而这由许许多多的单元格组成的大表我们就可以理解成逻辑bank，当然因为制 造工艺及数据寻址的原因，不可能让这个表格无限大，一般内存芯片中都是将内存容量分成几个阵列来制 造，即多逻辑bank。随着内存芯片容量的不断增加，逻辑bank数量也在不断增加，早期的16mbit之类的芯片采用的还是两个逻辑bank的设计，现阶段常见内存芯片的bank一般为4个(不包括rambus)，这点大家可通过内存条的编码进行识别。内存芯片设计时在一个时钟周期内只允许对一个逻辑bank进行操作(实际上内存芯片的位宽就是逻辑bank的位宽)，而不能对所有逻辑bank同时操作。所以逻辑bank的地址线是通用的，只要再有一个逻辑bank编号加以区别就可以了。内存芯片的位宽决定了一次能从它那里读出多少数据，并不是内存芯片里所有单元的数据能够一次全部读出。为了加深大家对逻辑bank的理解，我们来看看一个单芯片的逻辑bank示意图这里不用过于注意结构细节，只需要看看4个内存阵列。从图中可以很清楚地看到这个芯片是一个bank数为4的芯片，其列和行分别为4096和2048，而逻辑位宽是4bit，将这三者相乘就是这个逻辑bank的容量，这里是4096×2048×4 bit =32mb。再乘以bank的数量，则芯片的容量就可以算出来了，这里很显然是4个bank，那么芯片的容量就是128mb了。用虚线框起来的就是一个完整的逻辑bank。可见一个bank由内存阵列、传感放大器、一个行解 码 器、一个列解 码 器组成。
物理bank了解了逻辑bank后，接下来我们简单看看物理bank，物理bank的含义就是指内存和主板北桥芯片之间传递数据的通道，自586以后的cpu数据总线均为64bit位宽，而cpu一次只能对一个物理bank进行访问，所以一般情况下我们就把64bit作为一个物理bank(physical bank)，在前面我们已经讲过了逻辑bank，所以在这里我给大家讲一下如何自己算出物理bank，大家就会非常好理解了。由于cpu一次只能打开一个物理bank，在单芯片上也只能打开一个逻辑bank，这样我们就知道逻辑bank的位宽也就是单芯片的位宽了，我们把芯片的数据宽度和芯片的数量相乘再除以64就得到了内存条的物理bank数了，即内存的bank数=数据宽度×芯片数量/64。现在大家初步明白了内存的物理bank和内存的面数无关了吧？后面我还会举例说明。在大概了解了sdram和ddr内存的物理bank及逻辑bank之后。
下面我们来简单了解一下rambus的bank情况。rambus的bank为了讲解方便，下面以pc800 rambus为例。rambus不再采用sdram和ddr内存的并联技术，而是采用了更先进的串联技术。就现阶段而言，pc800 rambus使用400mhz的16位总线，在一个时钟周期内可以在上升沿和下降沿同时传输数据，实际操作频率为400mhz×2=800mhz，理论带宽为16bit×2×400mhz/8=1.6gb/s，再配合850主板芯片的双通道模式，可以达到3.2gb/s的数据带宽。这也是大家熟知的高带宽，而它最重要的优势在于其逻辑bank上，就现阶段的主流 rambus来说，其逻辑bank数高达32个，拥有更多的bank数则意味着具有较少的bank冲突，寻址流更加短暂随意。另外还可以提高寻址命中率和降低潜伏周期。当然，更多的bank也使rambus的制作模具制 造更复杂，也就增加了成本。于是rambus随后又推出了4i 架构的drdram──在每个颗粒芯片上只有4个bank。
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